在光刻機與封裝產(chǎn)線雙場景下Chiller（溫控設(shè)備）需同時滿足納米級光刻工藝溫控和封裝可靠性測試熱管理的嚴苛需求，尤其在薄膜沉積等核心設(shè)備中，其技術(shù)適配性體現(xiàn)在以下維度：

　　一、雙場景技術(shù)適配Chiller

　　1、光刻機場景：準確溫控

　　激光光源冷卻：采用雙循環(huán)冷卻架構(gòu)，主循環(huán)維持20℃基準溫度（波動±0.1℃），次級循環(huán)針對EUV光源提供-10℃低溫，影響光源功率漂移。

　　工件臺熱穩(wěn)定性：通過鈦合金微通道換熱器直接冷卻平臺，結(jié)合溫度反饋算法，實現(xiàn)晶圓表面溫度梯度。

　　薄膜沉積工藝：在ALD/CVD過程中，Chiller需準確控制反應腔體溫度，確保薄膜均勻性。

　　2、封裝產(chǎn)線場景：寬溫區(qū)快速切換

　　高溫老化測試：模擬芯片在150℃環(huán)境下的長期穩(wěn)定性，Chiller需支持10℃/min快速升溫，并結(jié)合熱回收技術(shù)降低能耗。

　　低溫存儲驗證：在-40℃環(huán)境下驗證封裝材料抗脆裂性，Chiller采用雙壓縮機冗余設(shè)計，確保低溫段控溫精度±0.2℃。

　　溫度沖擊試驗：在-65℃~150℃范圍內(nèi)實現(xiàn)30秒溫變，篩選潛在工藝缺陷。

　　二、薄膜沉積設(shè)備溫控方案

　　1、熱管理挑戰(zhàn)

　　化學氣相沉積（CVD）：反應腔體需維持高溫（如200℃），但基座需冷卻至50℃以防止熱應力開裂。Chiller采用分區(qū)控溫設(shè)計，高溫區(qū)用導熱油循環(huán)加熱，低溫區(qū)由冷水機組提供15℃冷卻水，溫差梯度控制精度達±1℃。

　　物理氣相沉積（PVD）：濺射靶材溫度需穩(wěn)定在200℃±1℃，Chiller通過脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制冷卻液流速，避免靶材過熱變形。

　　2、國內(nèi)設(shè)備商創(chuàng)新方案

　　冠亞恒溫Chiller：推出多通道獨立控溫系統(tǒng)，支持光刻機與封裝產(chǎn)線并聯(lián)運行，通過PID+模糊控制算法，實現(xiàn)光刻環(huán)節(jié)±0.1℃、封裝環(huán)節(jié)±0.1℃的差異化精度需求。

冠亞恒溫采用定制Chiller系統(tǒng)，通過多場景算法適配、分區(qū)控溫架構(gòu)、冗余安全設(shè)計，系統(tǒng)性解決光刻機與封裝產(chǎn)線的溫控需求，尤其針對薄膜沉積等核心設(shè)備提供定制化解決方案，助力國產(chǎn)半導體產(chǎn)線發(fā)展。